Nand Flash Block 구조

보드는 RMI, Au1250 MISP cpu를 사용하고.

아무튼, 부트로더를 올리기 위해서 nand flash 구조를 그려봤다.

알게 된 사실은 bootloader image를 2M까지 키워도 된다는 것.

용량 부담없이 마구 수정해야겠다-_-)> 훗.

엇, 부팅 이미지도 2M까지 받을 수 있구나. 이쁜 언냐로다가... 화질 좋은 걸로다가 ... 흐흐...

아, 또 하나.

nand에는 Large Block과 Small Block이 있는데, 둘의 차이는 page 크기의 차이로 보인다.

우선,

Large Block

1 Page = 2Kbytes

1 Block = 64Pages(0~63) = 128KB

NAND = 1024Blocks(0~1023) = 40M(맞나?;;)

Small Block

1 Page = 512Bytes

1 Block = 32Pages(0~31) = 16KB

NAND = 2048Blocks(0~2047) = 20M(맞나?;;)

메모리

• ROM(Read-Only Memory)
• Mask ROM: 공장에서 구워져 나옴.
• PROM(Programmable ROM): 한 번 구울 수 있다. 그러나 수정 불가.
• EPROM(Erasable PROM): 자외선을 비춰서 지울 수 있다. 재사용 가능.
• EEPROM(Electrically EPROM): 높은 전압을 주어 지울 수 있고, 다시 사용 가능.
• RAM(Random Access Memory)
• DRAM(Dynamic RAM): 데이터가 동적으로 변하므로 주기적으로 refresh를 한다. 싸고 집적도가 높아 대용량으로 이용
• SRAM(Static RAM): refresh가 필요없고 전력소모가 적고 비싸지만 R/W가 빠르다. 주로 cache로 이용
• SDRAM(Synchronous DRAM): CPU와 주파수 동기를 맞추어 시간 지연을 최소화. 메모리 검색 작업 원활.
• Flash Memory
• 읽기 속도가 빠르고 충격에 강하다.
• 블록단위로 Write/Erase
• EEPROM보다 경제적.
• 횟수제한 100만번(EEPROM은 10만번)
• 덮어쓸 수 없어서 반드시 erase 작업을 해주어야 한다.
• erase/write가 자유롭다.
• NOR
• Direct Access가 불가능하여 erase/write가 오래걸린다.
• read는 Direct Access를 하므로 빠르다.
• 부트코드 부팅이 가능
• 데이타 안정성이 높다.
• 병렬성
• NAND
• 페이지 단위로 Read/Write
• 블록 단위로 Erase
• NOR에 비해 write/erase가 빠르다.
• 순차적 접근
• 내구성이 강하다.
• NOR보다 단가가 싸, 보통 대용량 저장장치로 사용한다.
• 부트코드 부팅이 불가능하므로 RAM으로 옮겨 실행한다.
• 직렬성